RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3526
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link