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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
19.4
写入速度,GB/s
8.0
15.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3526
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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