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Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
比较
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
18.1
16.7
写入速度,GB/s
16.2
15.1
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3606
3191
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
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