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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
18.4
写入速度,GB/s
9.2
13.2
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3178
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
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Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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