RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Pontuação geral
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Pontuação geral
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
47
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
22
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
13.2
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2323
3178
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link