RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparez
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Note globale
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
47
Autour de -114% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2323
3178
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link