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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.9
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 37
    En -16% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 13.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2395 left arrow 1844

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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