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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
13.9
13.8
写入速度,GB/s
8.6
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
1844
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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