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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2183
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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