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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2183
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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