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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
37
En -19% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
1740
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
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