RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
5.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
1740
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link