RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3835
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link