RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3835
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link