RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
43
Около 44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
43
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
12.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2222
2501
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681PAE-16IC 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Samsung M393B2G70EB0-CMA 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link