RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Confronto
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
43
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
43
Velocità di lettura, GB/s
14.2
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2222
2501
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link