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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
2501
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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