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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2379
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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