RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Note globale
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
37
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
27
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2395
2379
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link