RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
92
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
65
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2041
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link