RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
92
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3592
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link