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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
92
En -149% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2507
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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