RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
92
En -283% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3079
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link