RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
92
En -207% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2951
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link