RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
92
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2944
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link