RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
92
En -411% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
18
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3871
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1600 CL10 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link