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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
92
En -318% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3665
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
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