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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
92
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.8
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.1
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
41
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
1512
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
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