RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
92
En -229% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.5
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3683
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link