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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
92
En -188% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
32
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2618
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
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