RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
92
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
35
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
2583
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link