RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
46
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2431
2481
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link