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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
46
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
46
Velocità di lettura, GB/s
13.7
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.7
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2431
2481
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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