RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2885
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link