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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
50
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
50
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2326
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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