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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs INTENSO 5641152 4GB

Puntuación global
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Puntuación global
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INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 14.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.8
    Valor medio en las pruebas
INTENSO 5641152 4GB Razones a tener en cuenta
INTENSO 5641152 4GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    23 left arrow 36
    En -57% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 23
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 14.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2292 left arrow 2215

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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INTENSO 5641152 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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