RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Comparez
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
Note globale
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Note globale
INTENSO 5641152 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
36
Autour de -57% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
23
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2292
2215
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
INTENSO 5641152 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link