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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Comparez
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Note globale
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Note globale
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
70
Autour de -112% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
2,924.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5600
Autour de 3.43 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,318.9
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,924.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5600
19200
Other
Description
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
813
2284
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB Comparaison des RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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