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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Gesamtnote
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
70
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
2,924.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5600
Rund um 3.43 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,318.9
11.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,924.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
5600
19200
Other
Beschreibung
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
813
2284
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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