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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Confronto
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
70
Intorno -112% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,924.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5600
Intorno 3.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
33
Velocità di lettura, GB/s
4,318.9
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,924.1
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5600
19200
Other
Descrizione
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
813
2284
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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