Comparación de la memoria RAM Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Puntuación global

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

33 70

En -112% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.2 2,924.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 5600

En 3.43 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

813 2284

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns