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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Compara
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Puntuación global
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,924.1
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
70
En -268% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5600
En 3.04 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
70
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,318.9
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,924.1
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5600
17000
Other
Descripción
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
813
3855
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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