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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Confronto
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,924.1
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
70
Intorno -268% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5600
Intorno 3.04 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
70
19
Velocità di lettura, GB/s
4,318.9
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,924.1
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5600
17000
Other
Descrizione
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
813
3855
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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