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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Pontuação geral
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
70
Por volta de -112% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
2,924.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5600
Por volta de 3.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
70
33
Velocidade de leitura, GB/s
4,318.9
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,924.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
5600
19200
Other
Descrição
PC2-5600, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
813
2284
Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB Comparações de RAM
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 36HTF51272PZ-800H1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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