Comparación de la memoria RAM Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Puntuación global

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 38

En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.9 14.6

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.8 9.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 12800

En 1.33 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2292 2298

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns