RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2298
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link