RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
36
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
18
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
20.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
18.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3529
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link