RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
36
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3529
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link