RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
36
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
3529
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link