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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
61
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
2739
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
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