RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
61
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,835.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,077.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
606
2739
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link